雙通道液體制冷多量子阱半導(dǎo)體激光器及其制備方法專利登記公告
專利名稱：雙通道液體制冷多量子阱半導(dǎo)體激光器及其制備方法
摘要：本發(fā)明提供了一種雙通道液體制冷多量子阱半導(dǎo)體激光器及其制備方法，以提高多量子阱半導(dǎo)體激光器的散熱效率，實現(xiàn)大功率的激光輸出。該雙通道液體制冷多量子阱半導(dǎo)體激光器，包括分別位于多量子阱芯片上方的上液體制冷器和下方的下液體制冷器、以及與多量子阱芯片處于同一層面用于隔離上、下液體制冷器的絕緣片；多量子阱芯片的負(fù)極面和/或正極面通過應(yīng)力緩沖導(dǎo)電層與上液體制冷器和/或下液體制冷器連接；應(yīng)力緩沖導(dǎo)電層的厚度使得多量子阱芯片位置處的總厚度與絕緣片位置處的總厚度相等。本發(fā)明采用上下兩個微通道制冷器，大大增加散熱面積，達(dá)到
專利類型：發(fā)明專利
專利號：CN201210171180.0
專利申請（專利權(quán)）人：西安炬光科技有限公司
專利發(fā)明（設(shè)計）人：張普;王警衛(wèi);梁雪杰;宗恒軍;劉興勝
主權(quán)項：雙通道液體制冷多量子阱半導(dǎo)體激光器，包括分別位于多量子阱芯片上方的上液體制冷器和下方的下液體制冷器、以及與多量子阱芯片處于同一層面用于隔離上、下液體制冷器的絕緣片；多量子阱芯片的負(fù)極面和/或正極面通過應(yīng)力緩沖導(dǎo)電層與上液體制冷器和/或下液體制冷器連接；應(yīng)力緩沖導(dǎo)電層的厚度使得多量子阱芯片位置處的總厚度與絕緣片位置處的總厚度相等。
專利地區(qū)：陜西
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