激光二極管元件組件及其驅(qū)動方法專利登記公告

專利名稱：激光二極管元件組件及其驅(qū)動方法

摘要：本發(fā)明涉及激光二極管元件組件及其驅(qū)動方法。一種激光二極管元件組件包括：激光二極管元件；以及光反射器，其中，激光二極管元件包括(a)層壓結構體，所述層壓結構體通過順序?qū)訅河蒅aN基化合物半導體制成的第一導電型第一化合物半導體層，由GaN基化合物半導體制成且包括發(fā)光區(qū)域的第三化合物半導體層，以及由GaN基化合物半導體制成的第二導電型第二化合物半導體層而構成，第二導電型與第一導電型不同，(b)第二電極，形成在第二化合物半導體層上，(c)第一電極，電連接至第一化合物半導體層，層壓結構體包括脊條形結構，脊條形結構的

專利類型：發(fā)明專利

專利號：CN201210062338.0

專利申請（專利權）人：索尼公司;國立大學法人 東北大學

專利發(fā)明（設計）人：大木智之;倉本大;幸田倫太郎;渡邊秀輝;橫山弘之

主權項：一種激光二極管元件組件，包括：激光二極管元件；以及光反射器，其中，所述激光二極管元件包括：(a)層壓結構體，所述層壓結構體通過順序?qū)訅河蒅aN基化合物半導體制成的第一導電型第一化合物半導體層，由GaN基化合物半導體制成且包括發(fā)光區(qū)域的第三化合物半導體層，以及由GaN基化合物半導體制成的第二導電型第二化合物半導體層而構成，所述第二導電型與所述第一導電型不同，(b)第二電極，形成在所述第二化合物半導體層上，以及(c)第一電極，電連接至所述第一化合物半導體層，所述層壓結構體包括脊條形結構，激光從所述脊條形結構的

專利地區(qū)：日本