制作砷化銦/磷化銦量子點激光器有源區(qū)的方法專利登記公告
專利名稱：制作砷化銦/磷化銦量子點激光器有源區(qū)的方法
摘要：一種制作砷化銦/磷化銦量子點激光器有源區(qū)的方法，包括如下步驟：步驟1：選擇一磷化銦襯底；步驟2：在該磷化銦襯底上外延生長一層磷化銦緩沖層；步驟3：在磷化銦緩沖層上沉積晶格匹配的銦鎵砷磷薄層；步驟4：在銦鎵砷磷薄層上外延生長多周期的砷化銦量子點有源層；步驟5：在砷化銦量子點有源層上沉積銦鎵砷磷蓋層，完成量子點激光器有源區(qū)的制備。本發(fā)明是在砷化銦/磷化銦量子點生長停頓間隙，通過改變五族保護源流量來抑制As/P互換效應，調(diào)控量子點形貌，結合兩步生長蓋層技術，達到既保持良好光學性能又能調(diào)諧發(fā)光波長的目的。這種方法
專利類型：發(fā)明專利
專利號：CN201210150154.X
專利申請（專利權）人：中國科學院半導體研究所
專利發(fā)明（設計）人：羅帥;季海銘;楊濤
主權項：一種制作砷化銦/磷化銦量子點激光器有源區(qū)的方法，包括如下步驟：步驟1：選擇一磷化銦襯底；步驟2：在該磷化銦襯底上外延生長一層磷化銦緩沖層；步驟3：在磷化銦緩沖層上沉積晶格匹配的銦鎵砷磷薄層；步驟4：在銦鎵砷磷薄層上外延生長多周期的砷化銦量子點有源層；步驟5：在砷化銦量子點有源層上沉積銦鎵砷磷蓋層，完成量子點激光器有源區(qū)的制備。
專利地區(qū)：北京
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