可實(shí)現(xiàn)模式間距為100GHz的雙模激射半導(dǎo)體激光器專利登記公告
專利名稱：可實(shí)現(xiàn)模式間距為100GHz的雙模激射半導(dǎo)體激光器
摘要：本發(fā)明公開了一種可實(shí)現(xiàn)模式間距為100GHz的雙模激射半導(dǎo)體激光器，包括：一襯底；一n-InP緩沖層；一InGaAsP下限制層；一多量子阱有源層；一InGaAsP上限制層，其表面形成有布拉格光柵結(jié)構(gòu)，該布拉格光柵結(jié)構(gòu)制作于光柵區(qū)；一p-InP層；一p-InGaAsP刻蝕阻止層；一上p-InP蓋層；一p-InGaAs歐姆接觸層，在該p-InGaAs歐姆接觸層上形成有隔離溝，該隔離溝將該p-InGaAs歐姆接觸層分為四段；以及分別形成在四段p-InGaAs歐姆接觸層上的金屬電極層；其中，該p-InGaAs歐姆
專利類型：發(fā)明專利
專利號(hào)：CN201210155449.6
專利申請(qǐng)（專利權(quán)）人：中國科學(xué)院半導(dǎo)體研究所
專利發(fā)明（設(shè)計(jì)）人：余力強(qiáng);趙玲娟;朱洪亮;吉晨;陸丹;潘教青;王圩
主權(quán)項(xiàng)：一種可實(shí)現(xiàn)模式間距為100GHz的雙模激射半導(dǎo)體激光器，其特征在于，包括：一襯底；一n?InP緩沖層，該n?InP緩沖層制作在襯底上；一InGaAsP下限制層，該InGaAsP下限制層制作在該n?InP緩沖層上；一多量子阱有源層，該多量子阱有源層制作在該InGaAsP下限制層上；一InGaAsP上限制層，該InGaAsP上限制層制作在該多量子阱有源層上，其表面形成有布拉格光柵結(jié)構(gòu)，該布拉格光柵結(jié)構(gòu)制作于光柵區(qū)；一p?InP層，該p?InP層制作在該InGaAsP上限制層上；一p?InGaAsP刻蝕阻止層，
專利地區(qū)：北京
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