基于倏逝場(chǎng)耦合及周期微結(jié)構(gòu)選頻的混合硅單模激光器專利登記公告

專利名稱：基于倏逝場(chǎng)耦合及周期微結(jié)構(gòu)選頻的混合硅單模激光器

摘要：一種基于倏逝場(chǎng)耦合及周期微結(jié)構(gòu)選頻混合硅單模激光器，包括：一硅襯底，該硅襯底為單晶硅材料；一二氧化硅層，該二氧化硅層制作在硅襯底之上；一硅波導(dǎo)層，該波導(dǎo)層制作在二氧化硅層之上，該波導(dǎo)層的縱向開有兩條空氣溝道，兩條空氣溝道之間為帶有周期微結(jié)構(gòu)的脊形條；一鍵合緩沖層，其制作在硅波導(dǎo)層上的中間，該鍵合緩沖層的寬度小于硅波導(dǎo)層的寬度，形成脊形條狀，該鍵合緩沖層的兩側(cè)形成臺(tái)面；兩條狀N型電極，制作在鍵合緩沖層兩側(cè)的臺(tái)面上；一N型接觸層，其制作在鍵合緩沖層之上；一量子阱有源區(qū)，其制作在N型接觸層之上；一P型接觸層，其

專利類型：發(fā)明專利

專利號(hào)：CN201210174309.3

專利申請(qǐng)（專利權(quán)）人：中國科學(xué)院半導(dǎo)體研究所

專利發(fā)明（設(shè)計(jì)）人：張冶金;渠紅偉;王海玲;馬紹棟;鄭婉華

主權(quán)項(xiàng)：一種基于倏逝場(chǎng)耦合及周期微結(jié)構(gòu)選頻混合硅單模激光器，包括：一硅襯底，該硅襯底為單晶硅材料；一二氧化硅層，該二氧化硅層制作在硅襯底之上；一硅波導(dǎo)層，該波導(dǎo)層制作在二氧化硅層之上，該波導(dǎo)層的縱向開有兩條空氣溝道，兩條空氣溝道之間為帶有周期微結(jié)構(gòu)的脊形條；一鍵合緩沖層，其制作在硅波導(dǎo)層上的中間，該鍵合緩沖層的寬度小于硅波導(dǎo)層的寬度，形成脊形條狀，該鍵合緩沖層的兩側(cè)形成臺(tái)面；兩條狀N型電極，制作在鍵合緩沖層兩側(cè)的臺(tái)面上；一N型接觸層，其制作在鍵合緩沖層之上；一量子阱有源區(qū)，其制作在N型接觸層之上；一P型接觸層，其

專利地區(qū)：北京