電力用半導(dǎo)體模塊專利登記公告

專利名稱：電力用半導(dǎo)體模塊

摘要：為了得到將由Si半導(dǎo)體制作的開關(guān)元件的溫度上升抑制為較低且能夠提高模塊的冷卻效率的電力用半導(dǎo)體模塊，具備由Si半導(dǎo)體制作的開關(guān)元件(4)和由寬禁帶半導(dǎo)體制作的二極管(5)，二極管(5)配置在電力用半導(dǎo)體模塊(100)的中央?yún)^(qū)域，開關(guān)元件(4)配置在電力用半導(dǎo)體模塊(100)的中央?yún)^(qū)域的兩側(cè)或周邊。

專利類型：發(fā)明專利

專利號(hào)：CN201180005358.8

專利申請(qǐng)（專利權(quán)）人：三菱電機(jī)株式會(huì)社

專利發(fā)明（設(shè)計(jì)）人：中山靖;三木隆義;大井健史;多田和弘;井高志織;長(zhǎng)谷川滋;田中毅

主權(quán)項(xiàng)：一種電力用半導(dǎo)體模塊，具備Si半導(dǎo)體元件和寬禁帶半導(dǎo)體元件，其特征在于，所述寬禁帶半導(dǎo)體元件配置在所述電力用半導(dǎo)體模塊的中央?yún)^(qū)域，所述Si半導(dǎo)體元件配置在所述中央?yún)^(qū)域的兩側(cè)或周邊。

專利地區(qū)：日本