具有保護(hù)二極管結(jié)構(gòu)的薄膜半導(dǎo)體器件和用于制造薄膜半導(dǎo)體器件的方法專利登記公告

專利名稱：具有保護(hù)二極管結(jié)構(gòu)的薄膜半導(dǎo)體器件和用于制造薄膜半導(dǎo)體器件的方法

摘要：本發(fā)明提出一種薄膜半導(dǎo)體器件（1），其具有支承體（5）和帶有半導(dǎo)體層序列的半導(dǎo)體本體（2），所述半導(dǎo)體層序列包括設(shè)置用于產(chǎn)生輻射的有源區(qū)域（20）。半導(dǎo)體本體（2）可以借助第一接觸部（31）和第二接觸部（32）從外部接觸。支承體（5）具有與半導(dǎo)體本體（2）電并聯(lián)的保護(hù)二極管結(jié)構(gòu)（7）。保護(hù)二極管結(jié)構(gòu)（7）具有第一二極管（71）和第二二極管（72）。第一二極管（71）和第二二極管（72）就其正向而言彼此相反地電串聯(lián)。此外，提出了一種用于制造薄膜半導(dǎo)體器件的方法。

專利類型：發(fā)明專利

專利號(hào)：CN201080051515.4

專利申請(qǐng)（專利權(quán)）人：歐司朗光電半導(dǎo)體有限公司

專利發(fā)明（設(shè)計(jì)）人：曼弗雷德·朔伊貝克;西格弗里德·赫爾曼

主權(quán)項(xiàng)：薄膜半導(dǎo)體器件（1），其具有支承體（5）和帶有半導(dǎo)體層序列的半導(dǎo)體本體（2），所述半導(dǎo)體層序列包括設(shè)置用于產(chǎn)生輻射的有源區(qū)域（20），其中?所述半導(dǎo)體本體（2）能夠借助第一接觸部（31）和第二接觸部（32）從外部電接觸；?所述支承體（5）具有保護(hù)二極管結(jié)構(gòu)（7），所述保護(hù)二極管結(jié)構(gòu)與所述半導(dǎo)體本體（2）電并聯(lián)；?所述保護(hù)二極管結(jié)構(gòu)（7）具有第一二極管（71）和第二二極管（72）；并且?所述第一二極管（71）和所述第二二極管（72）就其正向而言彼此相反地電串聯(lián)。

專利地區(qū)：德國(guó)