半導(dǎo)體裝置及其制造方法專利登記公告

專利名稱：半導(dǎo)體裝置及其制造方法

摘要：一種半導(dǎo)體裝置(130)，其具備：被接合基板(100)；薄膜元件(80)，其形成于被接合基板(100)上；以及半導(dǎo)體元件(90a)，其接合到被接合基板(100)上，是在半導(dǎo)體元件主體(50)的被接合基板(100)側(cè)層疊多個基底層(51～54)而形成的，多個基底層(51～54)分別具有絕緣層和層疊于該絕緣層的電路圖案，最靠被接合基板(100)側(cè)的基底層(54)具有電路圖案被引出到薄膜元件(80)側(cè)而形成的延設(shè)部(E)，在薄膜元件(80)與半導(dǎo)體元件(90a)之間設(shè)有樹脂層(120)，薄膜元件(80)和半導(dǎo)體

專利類型：發(fā)明專利

專利號：CN201080059548.3

專利申請（專利權(quán)）人：夏普株式會社

專利發(fā)明（設(shè)計）人：富安一秀;高藤裕;福島康守;多田憲史;松本晉

主權(quán)項：一種半導(dǎo)體裝置，其特征在于，具備：被接合基板；薄膜元件，其形成于上述被接合基板上；以及半導(dǎo)體元件，其接合到上述被接合基板上，是在半導(dǎo)體元件主體的上述被接合基板側(cè)層疊多個基底層而形成的，上述多個基底層分別具有絕緣層和層疊于該絕緣層的電路圖案，該各電路圖案通過形成于該各絕緣層的接觸孔而相互連接，上述多個基底層中最靠上述被接合基板側(cè)的基底層具有上述電路圖案被引出到上述薄膜元件側(cè)而形成的延設(shè)部，在上述薄膜元件與上述半導(dǎo)體元件之間設(shè)有樹脂層，上述薄膜元件和上述半導(dǎo)體元件主體通過設(shè)于上述樹脂層上的連接配線、上述延設(shè)部

專利地區(qū)：日本