分割濺鍍靶及其制造方法專利登記公告

專利名稱：分割濺鍍靶及其制造方法

摘要：本發(fā)明提供一種分割濺鍍靶，其為在接合多個(gè)氧化物半導(dǎo)體靶構(gòu)件而得的分割濺鍍靶中，可有效地防止因被濺鍍而造成支承板構(gòu)成材料混入于要形成的氧化物半導(dǎo)體的薄膜中。本發(fā)明為通過低熔點(diǎn)焊料將多個(gè)包括氧化物半導(dǎo)體的靶構(gòu)件接合于支承板上而形成的分割濺鍍靶，其中，于所接合的靶構(gòu)件間所形成的間隙存在有覆蓋挫曲板表面的低熔點(diǎn)焊料。此外，低熔點(diǎn)焊料的間隙內(nèi)的厚度優(yōu)選為靶構(gòu)件間所形成的間隙深度的10％至70％。

專利類型：發(fā)明專利

專利號(hào)：CN201180005297.5

專利申請(qǐng)（專利權(quán)）人：三井金屬礦業(yè)株式會(huì)社

專利發(fā)明（設(shè)計(jì)）人：久保田高史

主權(quán)項(xiàng)：一種分割濺鍍靶，是通過低熔點(diǎn)焊料將多個(gè)包括氧化物半導(dǎo)體的靶構(gòu)件接合于支承板上而形成的分割濺鍍靶，其特征在于，于所接合的靶構(gòu)件間所形成的間隙，存在有覆蓋支承板表面的低熔點(diǎn)焊料。

專利地區(qū)：日本