半導(dǎo)體裝置專利登記公告

專利名稱：半導(dǎo)體裝置

摘要：所公開的發(fā)明的目的之一是提供一種維持良好的特性并實(shí)現(xiàn)微型化的使用氧化物半導(dǎo)體的半導(dǎo)體裝置。一種半導(dǎo)體裝置，包括：氧化物半導(dǎo)體層；與氧化物半導(dǎo)體層接觸的源電極及漏電極；與氧化物半導(dǎo)體層重疊的柵電極；設(shè)置在氧化物半導(dǎo)體層與柵電極之間的柵極絕緣層；以及以與氧化物半導(dǎo)體層接觸的方式設(shè)置的絕緣層，其中，氧化物半導(dǎo)體層在其側(cè)表面與源電極或漏電極接觸，并且在其上表面隔著絕緣層與源電極或漏電極重疊。

專利類型：發(fā)明專利

專利號(hào)：CN201180005276.3

專利申請(qǐng)（專利權(quán)）人：株式會(huì)社半導(dǎo)體能源研究所

專利發(fā)明（設(shè)計(jì)）人：鄉(xiāng)戶宏充;荒井康行;岡本知廣;寺島真理;西田惠里子;菅尾惇平

主權(quán)項(xiàng)：一種半導(dǎo)體裝置，包括：氧化物半導(dǎo)體層；與所述氧化物半導(dǎo)體層接觸的絕緣層；與所述氧化物半導(dǎo)體層和所述絕緣層接觸的源電極及漏電極；與所述氧化物半導(dǎo)體層重疊的柵電極；以及設(shè)置在所述氧化物半導(dǎo)體層與所述柵電極之間的柵極絕緣層，其中，所述氧化物半導(dǎo)體層的側(cè)表面分別與所述源電極或所述漏電極接觸，并且，在所述氧化物半導(dǎo)體層與所述源電極和所述漏電極中的至少一個(gè)之間夾有所述絕緣層。

專利地區(qū)：日本