PIN二極管專利登記公告

專利名稱：PIN二極管

摘要：本發(fā)明提供一種能夠抑制由于在超出擊穿電壓的反向偏壓時電流向陽極區(qū)域的曲線部集中而產(chǎn)生熱破壞的PIN二極管。本發(fā)明的PIN二極管由以下構(gòu)成：由N+半導(dǎo)體層(1)以及N-半導(dǎo)體層(2)構(gòu)成的半導(dǎo)體基板(11)；形成在N+半導(dǎo)體層(1)的外表面上的陰極電極(18)；從N-半導(dǎo)體層(2)的外表面選擇性地擴(kuò)散P型雜質(zhì)而形成的主陽極區(qū)域(16)、分離陽極區(qū)域(15)以及陽極連接區(qū)域；和形成在主陽極區(qū)域(16)上的陽極電極(17)。主陽極區(qū)域(16)具有4邊由直線部(B4)構(gòu)成且4頂點由大致圓弧狀的曲線部(B3)構(gòu)成的

專利類型：發(fā)明專利

專利號：CN201080046474.X

專利申請（專利權(quán)）人：株式會社三社電機(jī)制作所

專利發(fā)明（設(shè)計）人：西村良和;山本浩史;內(nèi)野猛善

主權(quán)項：一種PIN二極管，其特征在于，具備：半導(dǎo)體基板，其由N型的第一半導(dǎo)體層以及雜質(zhì)濃度比第一半導(dǎo)體層低的N型的第二半導(dǎo)體層構(gòu)成；陰極電極，其形成在第一半導(dǎo)體層的外表面上；從第二半導(dǎo)體層的外表面選擇性地擴(kuò)散P型雜質(zhì)而形成的主陽極區(qū)域、分離陽極區(qū)域以及陽極連接區(qū)域；以及陽極電極，其形成在上述主陽極區(qū)域上，上述主陽極區(qū)域具有4邊由直線部構(gòu)成且4頂點由大致圓弧狀的曲線部構(gòu)成的大致矩形的外緣，上述分離陽極區(qū)域沿著上述主陽極區(qū)域的外緣形成為環(huán)狀，上述陽極連接區(qū)域形成為以下形狀，即，使相互對置的上述分離陽極區(qū)域的內(nèi)緣以及上

專利地區(qū)：日本