溝槽式金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管專利登記公告

專利名稱：溝槽式金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管

摘要：一種溝槽式金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管（TMOSFET），包括在多個(gè)柵極區(qū)之間沉積的多個(gè)臺(tái)面。每個(gè)臺(tái)面包括漂移區(qū)和體區(qū)。臺(tái)面的寬度為在柵極絕緣區(qū)和體區(qū)之間接口處的量子阱尺寸的數(shù)量級(jí)。該TMOSFET還包括在柵極區(qū)與體區(qū)、漂移區(qū)和漏極區(qū)之間沉積的多個(gè)柵極絕緣區(qū)。在柵極區(qū)和漏極區(qū)之間的柵極絕緣區(qū)的厚度導(dǎo)致在關(guān)斷狀態(tài)下柵極到漏極電場(chǎng)基本為橫向，這有助于耗盡漂移區(qū)中的電荷。

專利類型：發(fā)明專利

專利號(hào)：CN201080057177.5

專利申請(qǐng)（專利權(quán)）人：維西埃-硅化物公司

專利發(fā)明（設(shè)計(jì)）人：N.蒂皮爾內(nèi)尼;D.N.帕塔納雅克

主權(quán)項(xiàng)：一種溝槽式金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管（TMOSFET），包括：漏極區(qū)；在所述漏極區(qū)上沉積的多個(gè)柵極區(qū)；在所述多個(gè)柵極區(qū)之間的臺(tái)面中以及所述漏極區(qū)之上沉積的多個(gè)漂移區(qū)；在所述臺(tái)面中、所述漂移區(qū)上方并與所述柵極區(qū)相鄰沉積的多個(gè)體區(qū)；在所述臺(tái)面中在所述體區(qū)上方沉積的多個(gè)源極區(qū)；在所述柵極區(qū)與所述源極區(qū)、體區(qū)、漂移區(qū)和漏極區(qū)之間沉積的多個(gè)柵極絕緣區(qū)；其中，所述臺(tái)面的寬度為大致0.03至1.0微米（μm）；以及其中，在所述柵極區(qū)和所述漏極區(qū)之間的所述柵極絕緣區(qū)的厚度為大致0.1至4.0微米（μm）。

專利地區(qū)：美國(guó)