半導(dǎo)體用銅接合線及其接合結(jié)構(gòu)專利登記公告

專利名稱：半導(dǎo)體用銅接合線及其接合結(jié)構(gòu)

摘要：本發(fā)明的目的是提供一種材料費便宜，與Al電極的接合部的長期可靠性優(yōu)異，在車載用LSI用途中也能夠應(yīng)用的接合結(jié)構(gòu)、以及半導(dǎo)體用銅接合線。形成將在銅接合線的尖端形成的球部與鋁電極接合了的球接合部，所述的將在銅接合線的尖端形成的球部與鋁電極接合了的球接合部，其特征在于，在將所述球接合部在130~200℃的任一溫度下加熱后，相對于在所述球接合部的截面中具有的由Cu和Al構(gòu)成的金屬間化合物的厚度，CuAl相的金屬間化合物的厚度的比例即相對化合物比率R1為40%~100%。

專利類型：發(fā)明專利

專利號：CN201180005261.7

專利申請（專利權(quán)）人：新日鐵高新材料株式會社;日鐵新材料股份有限公司

專利發(fā)明（設(shè)計）人：宇野智裕;山田隆;池田敦夫

主權(quán)項：一種接合結(jié)構(gòu)，是通過將在銅接合線的尖端形成的球部與鋁電極接合了的球接合部來與半導(dǎo)體元件的電極連接的銅接合線的接合結(jié)構(gòu)，其特征在于，在將所述球接合部在130~200℃的任一溫度下加熱后，所述球接合部的截面中，相對于由Cu和Al構(gòu)成的金屬間化合物的厚度，CuAl相的金屬間化合物的厚度的比例即相對化合物比率R1為50%~100%。

專利地區(qū)：日本