用于監(jiān)視在晶片處理期間賦給半導(dǎo)體晶片的污染物的量的方法專(zhuān)利登記公告

專(zhuān)利名稱(chēng)：用于監(jiān)視在晶片處理期間賦給半導(dǎo)體晶片的污染物的量的方法

摘要：公開(kāi)了用于監(jiān)視在諸如拋光和清潔的晶片處理操作期間賦予的金屬污染物的量的方法。所述方法包括對(duì)絕緣體上硅結(jié)構(gòu)進(jìn)行所述半導(dǎo)體處理，在所述結(jié)構(gòu)中沉淀金屬污染物以及描繪所述金屬污染物。

專(zhuān)利類(lèi)型：發(fā)明專(zhuān)利

專(zhuān)利號(hào)：CN201080058077.4

專(zhuān)利申請(qǐng)（專(zhuān)利權(quán)）人：MEMC電子材料有限公司

專(zhuān)利發(fā)明（設(shè)計(jì)）人：J·L·利伯特;L·費(fèi)

主權(quán)項(xiàng)：一種用于確定或監(jiān)視在工藝中金屬污染物的量的方法，所述方法包括：將絕緣體上硅結(jié)構(gòu)暴露到處理步驟，所述絕緣體上硅結(jié)構(gòu)包括處理晶片、硅層以及在所述處理晶片與所述硅層之間的介電層，所述結(jié)構(gòu)具有在所述硅層上的前表面，所述處理步驟將金屬污染物賦給所述硅層；對(duì)所述絕緣體上硅結(jié)構(gòu)進(jìn)行熱退火以使所述硅層中的金屬污染物溶解；對(duì)所述絕緣體上硅結(jié)構(gòu)進(jìn)行冷卻以在所述硅層中形成金屬沉淀物；以及在所述硅層中描繪所述金屬沉淀物。

專(zhuān)利地區(qū)：美國(guó)