帶有熱擴(kuò)散器的半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)及其制造方法專利登記公告

專利名稱：帶有熱擴(kuò)散器的半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)及其制造方法

摘要：提供了一種半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)以及一種用于制造所述結(jié)構(gòu)的方法。該半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)包括一個(gè)薄膜半導(dǎo)體，該薄膜半導(dǎo)體具有一個(gè)活性區(qū)域并且被置于一個(gè)金剛石基底上。該薄膜半導(dǎo)體優(yōu)選是直接粘合到該金剛石層上、或者可以通過(guò)一種介電膠黏劑而粘附到其上。

專利類型：發(fā)明專利

專利號(hào)：CN201180005226.5

專利申請(qǐng)（專利權(quán)）人：諾瓦特安斯集團(tuán)有限公司

專利發(fā)明（設(shè)計(jì)）人：艾蘭·霍赫斯塔德特;約翰·魯爾斯頓

主權(quán)項(xiàng)：一種半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)，由一個(gè)具有活性區(qū)域的薄膜半導(dǎo)體、以及一個(gè)直接粘合到所述薄膜半導(dǎo)體上的熱擴(kuò)散金剛石層組成。

專利地區(qū)：瑞士