用于沉積多層式層和/或梯度層的方法專利登記公告

專利名稱：用于沉積多層式層和/或梯度層的方法

摘要：本發(fā)明涉及一種用于在直列式等離子體涂覆設備中借助等離子體輔助的化學氣相沉積將多層式層和/或梯度層沉積到至少一個基底上的方法，該直列式等離子體涂覆設備包括至少一個加工室，其中在基底的輸送方向上依次安排了至少兩個單獨的等離子體源。本發(fā)明的目的是提供這樣一種方法，通過該方法可以在單一的加工室中在至少一個基底上、在該基底輸送穿過該加工室的過程中生產(chǎn)出多個處于層堆疊形式的不同層或者一個具有根據(jù)其厚度而變的特性的層。為此，根據(jù)這樣一種方法，該至少兩個等離子體源是以在不同的過程條件下以10kHz與2.45GHz之間的激

專利類型：發(fā)明專利

專利號：CN201080060609.8

專利申請（專利權(quán)）人：德國羅特·勞股份有限公司

專利發(fā)明（設計）人：J·邁;赫爾曼·施勒姆;T·格羅斯;D·德科爾;M·格利姆;H-P·斯皮爾里切

主權(quán)項：一種用于在直列式等離子體涂覆設備中借助于等離子體增強的化學氣相沉積將多層式層和/或梯度層沉積到至少一個基底（9）上的方法，該直列式等離子體涂覆設備包含至少一個加工室（1），其中在這些基底（9）的輸送方向上依次安排了至少兩個單獨的等離子體源（2，4，5，6），其特征在于該至少兩個等離子體源（2，4，5，6）是以不同的過程條件、在10kHz與2.45GHz之間的激發(fā)頻率下來工作的，該至少兩個等離子體源中的至少一個在此情況下是脈沖式的，并且該基底（9）被連續(xù)地輸送穿過這些單獨的等離子體源（2，4，5，6）的涂覆

專利地區(qū)：德國