適于高溫操作的相變存儲器器件專利登記公告

專利名稱：適于高溫操作的相變存儲器器件

摘要：一種相變存儲器單元，包括：底部電極；頂部電極，與底部電極分開；以及生長主導(dǎo)型相變材料，沉積于底部電極和頂部電極之間并且接觸底部電極和頂部電極并且在其側(cè)壁處由絕緣材料包圍。重置狀態(tài)的相變存儲器單元僅包括在相變存儲器單元的有效體積內(nèi)的生長主導(dǎo)型相變材料的非晶相。

專利類型：發(fā)明專利

專利號：CN201080050550.4

專利申請（專利權(quán)）人：國際商業(yè)機器公司

專利發(fā)明（設(shè)計）人：M·J·布萊特韋斯;C·H·拉姆;B·拉簡德蘭;S·勞克斯;A·G·施羅特;D·科雷布斯

主權(quán)項：一種相變存儲器單元，包括：底部電極；與所述底部電極分開的頂部電極；生長主導(dǎo)型相變材料，布置于所述底部電極和所述頂部電極之間并且接觸所述底部電極和所述頂部電極，并且在其側(cè)壁處由絕緣材料包圍，在重置狀態(tài)的所述相變存儲器單元僅包括在所述相變存儲器單元的有效體積內(nèi)的所述生長主導(dǎo)型相變材料的非晶相。

專利地區(qū)：美國