基于鍺的量子阱器件專利登記公告
專利名稱：基于鍺的量子阱器件
摘要：一種量子阱晶體管具有鍺量子阱溝道區(qū)。含硅的蝕刻停止層提供柵電介質(zhì)接近溝道的容易放置。III-V族勢壘層對溝道增加應(yīng)變。溝道區(qū)之上和之下的緩變硅鍺層改進了性能。多種柵電介質(zhì)材料允許使用高k值柵電介質(zhì)。
專利類型：發(fā)明專利
專利號：CN201080060555.5
專利申請（專利權(quán)）人：英特爾公司
專利發(fā)明（設(shè)計）人：R·皮爾拉瑞斯帝;B-Y·金;B·楚-昆古;M·V·梅茨;J·T·卡瓦利羅斯;M·拉多薩佛杰維科;R·科托爾亞;W·瑞馳梅迪;N·穆克赫吉;G·德威;R·喬
主權(quán)項：一種器件，包括：包括大帶隙材料的下勢壘區(qū)；在所述下勢壘區(qū)上的包括鍺的量子阱溝道區(qū)；在所述量子阱區(qū)上的包括大帶隙材料的上勢壘區(qū)；在所述量子阱溝道區(qū)上的間隔區(qū)；在所述間隔區(qū)上的蝕刻停止區(qū)，所述蝕刻停止區(qū)包括硅且基本上無鍺；在所述蝕刻停止區(qū)上的柵電介質(zhì)；在所述柵電介質(zhì)上的柵電極。
專利地區(qū)：美國