光電半導(dǎo)體芯片和用于制造光電半導(dǎo)體芯片的方法專利登記公告

專利名稱：光電半導(dǎo)體芯片和用于制造光電半導(dǎo)體芯片的方法

摘要：本發(fā)明說明了一種光電半導(dǎo)體芯片（100），其具有第一半導(dǎo)體層序列（1）和第二半導(dǎo)體層序列（2），所述第一半導(dǎo)體層序列包括多個(gè)微型二極管（11），所述第二半導(dǎo)體層序列包括有源區(qū)（12），其中，第一半導(dǎo)體層序列（1）和第二半導(dǎo)體層序列（2）基于氮化物-化合物半導(dǎo)體材料，所述第一半導(dǎo)體層序列（1）在生長方向上位于第二半導(dǎo)體層序列（2）之前，并且所述微型二極管（11）形成對(duì)有源區(qū)（12）的ESD（靜電放電）保護(hù)。

專利類型：發(fā)明專利

專利號(hào)：CN201080060293.2

專利申請(qǐng)（專利權(quán)）人：歐司朗光電半導(dǎo)體有限公司

專利發(fā)明（設(shè)計(jì)）人：賴納·布滕戴奇;亞歷山大·沃爾特;馬蒂亞斯·彼得;托比亞斯·邁耶;瀧哲也;胡貝特·邁瓦爾德

主權(quán)項(xiàng)：光電半導(dǎo)體芯片（100），具有：?第一半導(dǎo)體層序列（1），所述第一半導(dǎo)體層序列包括多個(gè)微型二極管（11）；和?第二半導(dǎo)體層序列（2），所述第二半導(dǎo)體層序列包括有源區(qū)（12），其中?所述第一半導(dǎo)體層序列（1）和所述第二半導(dǎo)體層序列（2）基于氮化物?化合物半導(dǎo)體材料，?所述第一半導(dǎo)體層序列（1）在生長方向上位于所述第二半導(dǎo)體層序列（2）之前，?所述微型二極管（11）形成對(duì)所述有源區(qū)（12）的靜電放電保護(hù)，并且?所述微型二極管（11）中的大部分具有同種的電學(xué)性質(zhì)，尤其同種的擊穿特性。

專利地區(qū)：德國