氮化物系半導(dǎo)體元件及其制造方法專(zhuān)利登記公告

專(zhuān)利名稱(chēng)：氮化物系半導(dǎo)體元件及其制造方法

摘要：本發(fā)明的氮化物系半導(dǎo)體元件，具備：具有表面(12)從m面傾斜了1°以上5°以下的角度的p型GaN系半導(dǎo)體區(qū)域的氮化物系半導(dǎo)體層疊構(gòu)造(20)；和設(shè)置于p型GaN系半導(dǎo)體區(qū)域上的電極(30)。電極(30)包含由從Pt、Mo以及Pd所構(gòu)成的群中選擇的金屬和Mg構(gòu)成的Mg合金層(32)，Mg合金層(32)與半導(dǎo)體層疊構(gòu)造(20)中的p型GaN系半導(dǎo)體區(qū)域的表面(12)相接觸。

專(zhuān)利類(lèi)型：發(fā)明專(zhuān)利

專(zhuān)利號(hào)：CN201180003875.1

專(zhuān)利申請(qǐng)（專(zhuān)利權(quán)）人：松下電器產(chǎn)業(yè)株式會(huì)社

專(zhuān)利發(fā)明（設(shè)計(jì)）人：橫川俊哉;大屋滿明;山田篤志;加藤亮

主權(quán)項(xiàng)：一種氮化物系半導(dǎo)體元件，具備：氮化物系半導(dǎo)體層疊構(gòu)造，其具有p型GaN系半導(dǎo)體區(qū)域；和電極，其設(shè)置于所述p型GaN系半導(dǎo)體區(qū)域上，所述p型GaN系半導(dǎo)體區(qū)域中的主面的法線與m面的法線所形成的角度為1°以上5°以下，所述電極包含Mg合金層，該Mg合金層與所述p型GaN系半導(dǎo)體區(qū)域的所述主面相接觸，由從Pt、Mo以及Pd所構(gòu)成的群中選擇的金屬和Mg構(gòu)成。

專(zhuān)利地區(qū)：日本