發(fā)光半導(dǎo)體芯片專利登記公告

專利名稱：發(fā)光半導(dǎo)體芯片

摘要：提出一種半導(dǎo)體芯片（1），其具有帶有半導(dǎo)體層序列的半導(dǎo)體本體（2），其中用于產(chǎn)生輻射的有源區(qū)域（20）設(shè)置在n型導(dǎo)電的多層結(jié)構(gòu)（21）和p型導(dǎo)電的半導(dǎo)體層（22）之間。在n型導(dǎo)電的多層結(jié)構(gòu)中，形成具有至少一個摻雜尖峰（4）的摻雜分布。

專利類型：發(fā)明專利

專利號：CN201080060204.4

專利申請（專利權(quán)）人：歐司朗光電半導(dǎo)體有限公司

專利發(fā)明（設(shè)計）人：馬蒂亞斯·彼得;托比亞斯·邁耶;亞歷山大·沃爾特;瀧哲也;于爾根·奧弗;賴納·布滕戴奇;約阿希姆·赫特功

主權(quán)項：半導(dǎo)體芯片（1），具有帶有半導(dǎo)體層序列的半導(dǎo)體本體（2），其中?所述半導(dǎo)體層序列具有n型導(dǎo)電的多層結(jié)構(gòu)（21）、p型導(dǎo)電的半導(dǎo)體層（22）和設(shè)置用于產(chǎn)生輻射的有源區(qū)域（20），所述有源區(qū)域設(shè)置在所述n型導(dǎo)電的多層結(jié)構(gòu)和所述p型導(dǎo)電的半導(dǎo)體層之間；并且?在所述n型導(dǎo)電的多層結(jié)構(gòu)中形成具有至少一個摻雜尖峰（4）的摻雜分布。

專利地區(qū)：德國