光電子半導(dǎo)體芯片以及基于AlGaN的中間層的應(yīng)用專(zhuān)利登記公告

專(zhuān)利名稱(chēng)：光電子半導(dǎo)體芯片以及基于AlGaN的中間層的應(yīng)用

摘要：在光電子半導(dǎo)體芯片(100)的至少一種實(shí)施方式中，它包含基于GaN、InGaN、AlGaN和/或InAlGaN的半導(dǎo)體層序列(1)。半導(dǎo)體層序列(1)包含p摻雜的層序列(2)，n摻雜的層序列(4)，和位于p摻雜的層序列(2)與n摻雜的層序列(4)之間的有源區(qū)(3)。半導(dǎo)體層序列(1)另外包含至少一個(gè)基于AlxGa1-xN的中間層(5)，其中0

專(zhuān)利類(lèi)型：發(fā)明專(zhuān)利

專(zhuān)利號(hào)：CN201080060178.5

專(zhuān)利申請(qǐng)（專(zhuān)利權(quán)）人：歐司朗光電半導(dǎo)體有限公司

專(zhuān)利發(fā)明（設(shè)計(jì)）人：馬蒂亞斯·彼得;托比亞斯·邁耶;尼古勞斯·格邁因維澤;瀧哲也;漢斯-于爾根·盧高爾;亞歷山大·沃爾特

主權(quán)項(xiàng)：光電子半導(dǎo)體芯片(100)，具有基于GaN、InGaN、AlGaN和/或InAlGaN的、外延生長(zhǎng)的半導(dǎo)體層序列(1)，所述半導(dǎo)體層序列包含：?p摻雜的層序列(2)，?n摻雜的層序列(4)，?有源區(qū)(3)，所述有源區(qū)設(shè)置用于產(chǎn)生電磁輻射并位于所述p摻雜的層序列(2)與所述n摻雜的層序列(4)之間，和?至少一個(gè)基于AlxGa1?xN的中間層(5)，其中0

專(zhuān)利地區(qū)：德國(guó)