第III族氮化物半導(dǎo)體縱向結(jié)構(gòu)LED芯片及其制造方法專利登記公告

專利名稱：第III族氮化物半導(dǎo)體縱向結(jié)構(gòu)LED芯片及其制造方法

摘要：公開(kāi)了：一種在發(fā)光結(jié)構(gòu)體很少經(jīng)受破裂，并具有高質(zhì)量的縱向LED芯片；以及用于生產(chǎn)該LED芯片的方法。所述方法包括：發(fā)光層壓體形成步驟：層壓順次層壓于生長(zhǎng)基板上的第一導(dǎo)電型第III族氮化物半導(dǎo)體層、發(fā)光層和第二導(dǎo)電型第III族氮化物半導(dǎo)體層(其類型與第一導(dǎo)電型不同)，從而形成發(fā)光層壓體；發(fā)光結(jié)構(gòu)體形成步驟：除去發(fā)光層壓體的部分，以便暴露生長(zhǎng)基板的部分，從而形成多個(gè)分離的發(fā)光結(jié)構(gòu)體；形成連接層的步驟，導(dǎo)電性支承部通過(guò)所述連接層連接至多個(gè)發(fā)光結(jié)構(gòu)體；形成可通過(guò)所述連接層充當(dāng)下部電極的導(dǎo)電性支承部的步驟；從多個(gè)發(fā)

專利類型：發(fā)明專利

專利號(hào)：CN200980163264.6

專利申請(qǐng)（專利權(quán)）人：偉方亮有限公司;同和電子科技有限公司

專利發(fā)明（設(shè)計(jì)）人：曹明煥;李錫雨;張弼國(guó);鳥(niǎo)羽隆一;豐田達(dá)憲;門(mén)脅嘉孝

主權(quán)項(xiàng)：一種用于制造第III族氮化物半導(dǎo)體縱向結(jié)構(gòu)LED芯片的方法，其包括：發(fā)光層壓體形成步驟，其通過(guò)在生長(zhǎng)基板上順次堆疊第一導(dǎo)電型第III族氮化物半導(dǎo)體層、發(fā)光層和第二導(dǎo)電型第III族氮化物半導(dǎo)體層而形成發(fā)光層壓體，所述第二導(dǎo)電型與所述第一導(dǎo)電型不同；發(fā)光結(jié)構(gòu)體形成步驟，其通過(guò)部分除去所述發(fā)光層壓體以部分暴露所述生長(zhǎng)基板來(lái)形成多個(gè)單獨(dú)的發(fā)光結(jié)構(gòu)體；在所述多個(gè)發(fā)光結(jié)構(gòu)體上形成歐姆電極層和連接層的步驟；在所述連接層上形成還充當(dāng)下部電極的導(dǎo)電性支承體的步驟；從所述多個(gè)發(fā)光結(jié)構(gòu)體剝離所述生長(zhǎng)基板的分離步驟；和切斷所述發(fā)

專利地區(qū)：韓國(guó)