以可變的氮/氫比所制造的自由基來生長介電薄膜的方法專利登記公告

專利名稱：以可變的氮/氫比所制造的自由基來生長介電薄膜的方法

摘要：本發(fā)明描述形成介電層的方法。本方法可包括以下步驟：混合含硅前驅(qū)物與氮自由基前驅(qū)物，以及沉積介電層至基板上。氮自由基前驅(qū)物在遠(yuǎn)端等離子體中藉由將氫(H2)及氮(N2)流動(dòng)至等離子體中以便允許調(diào)整氮/氫比例所形成。介電層起初為含硅及氮層，所述含硅及氮層可藉由在含氧環(huán)境中固化和/或退火薄膜而轉(zhuǎn)化為含硅及氧層。

專利類型：發(fā)明專利

專利號(hào)：CN201080059994.4

專利申請(qǐng)（專利權(quán)）人：應(yīng)用材料公司

專利發(fā)明（設(shè)計(jì)）人：梁璟梅;X·陳;M·L·米勒;N·K·英格爾;S·文卡特拉馬

主權(quán)項(xiàng)：一種在基板處理腔室的無等離子體基板處理區(qū)域中在基板上形成介電層的方法，所述方法包含：流動(dòng)含氮及氫氣體至等離子體區(qū)域中以產(chǎn)生氮自由基前驅(qū)物，其中所述含氮及氫氣體包含氫(H2)及氮(N2)以允許進(jìn)入所述等離子體區(qū)域中的氮:氫原子流量比的選擇有更大的可變性；在所述無等離子體基板處理區(qū)域中將含硅前驅(qū)物與所述氮自由基前驅(qū)物結(jié)合；以及沉積所述介電層至所述基板上。

專利地區(qū)：美國