具有摻雜的外延區(qū)域的半導(dǎo)體器件及其制造方法專利登記公告

專利名稱：具有摻雜的外延區(qū)域的半導(dǎo)體器件及其制造方法

摘要：本發(fā)明的實施例描述了半導(dǎo)體器件上的外延區(qū)域。在一個實施例中，通過循環(huán)的沉積-蝕刻工藝來在襯底上沉積所述外延區(qū)域。用外延帽層來回填在循環(huán)的沉積-蝕刻工藝期間在間隔體下方產(chǎn)生的空腔。所述外延區(qū)域和外延帽層改善了溝道區(qū)域的電子遷移率，減小了短溝道效應(yīng)并降低了寄生電阻。

專利類型：發(fā)明專利

專利號：CN201080058687.4

專利申請（專利權(quán)）人：英特爾公司

專利發(fā)明（設(shè)計）人：A·S·默西;D·B·奧貝蒂內(nèi);T·加尼;A·J·派特

主權(quán)項：一種形成半導(dǎo)體器件的方法，包括：提供具有柵極電極的襯底和形成在所述柵極電極的側(cè)壁上的間隔體；蝕刻所述襯底，以形成凹陷的界面；通過將所述襯底交替地暴露于第一前驅(qū)物和第二前驅(qū)物，而在所述凹陷的界面上形成外延區(qū)域；以及在所述外延區(qū)域上選擇性地沉積帽層。

專利地區(qū)：美國