蝕刻液及使用其的半導(dǎo)體裝置的制造方法專利登記公告

專利名稱：蝕刻液及使用其的半導(dǎo)體裝置的制造方法

摘要：本發(fā)明提供在具有電極的半導(dǎo)體基板的再布線中使用的、能選擇性蝕刻銅而不蝕刻鎳的蝕刻液及使用其的半導(dǎo)體裝置的制造方法。含有過氧化氫和檸檬酸、且過氧化氫的含量為0.75~12質(zhì)量%、檸檬酸的含量為1~20質(zhì)量%、且過氧化氫和檸檬酸的摩爾比在0.3~5的范圍內(nèi)的在半導(dǎo)體基板的再布線中使用的蝕刻液；含有過氧化氫和蘋果酸、且過氧化氫的含量為0.75~12質(zhì)量%、蘋果酸的含量為1.5~25質(zhì)量%、且過氧化氫和蘋果酸的摩爾比在0.2~6的范圍內(nèi)的在半導(dǎo)體基板的再布線中使用的用于選擇性蝕刻銅的蝕刻液、及使用這些蝕刻液的半導(dǎo)

專利類型：發(fā)明專利

專利號：CN201080057354.X

專利申請（專利權(quán)）人：三菱瓦斯化學(xué)株式會社

專利發(fā)明（設(shè)計(jì)）人：細(xì)見彰良;大前健祐

主權(quán)項(xiàng)：一種用于選擇性蝕刻銅的蝕刻液,其在使用了具有電極的半導(dǎo)體基板的半導(dǎo)體裝置的制造中使用，其含有過氧化氫和檸檬酸，過氧化氫的含量為0.75~12質(zhì)量%，檸檬酸的含量為1~20質(zhì)量%，且過氧化氫和檸檬酸的摩爾比在0.3~5的范圍內(nèi)。

專利地區(qū)：日本