用于形成NMOS外延層的方法專利登記公告

專利名稱：用于形成NMOS外延層的方法

摘要：本發(fā)明提供具有受控溝道應(yīng)變和結(jié)電阻的NMOS晶體管及NMOS晶體管的制造方法。在一些實(shí)施方式在中，用于形成NMOS晶體管的方法可以包括(a)提供具有p型硅區(qū)域的襯底；(b)在所述p型硅區(qū)域上沉積硅晶種層；(c)所述硅晶種層上沉積含硅體層，所述含硅體層包含硅，硅和晶格調(diào)整元素，或者硅和n型摻雜劑；(d)在所述含硅體層中注入所述晶格調(diào)整元素或者所述n型摻雜劑中的至少一種，所述晶格調(diào)整元素或者所述n型摻雜劑中的至少一種不在步驟(c)中沉積的所述含硅體層中；和(e)在步驟(d)注入之后，使用能量光束對(duì)所述含硅體層

專利類型：發(fā)明專利

專利號(hào)：CN201080059624.0

專利申請(qǐng)（專利權(quán)）人：應(yīng)用材料公司

專利發(fā)明（設(shè)計(jì)）人：米切爾·C·泰勒;蘇珊·B·費(fèi)爾克

主權(quán)項(xiàng)：一種用于形成n型金屬氧化物半導(dǎo)體(NMOS)晶體管的方法，所述方法包含以下步驟：(a)提供具有p型硅區(qū)域的襯底；(b)在所述p型硅區(qū)域上沉積硅晶種層；(c)所述硅晶種層上沉積含硅體層，所述含硅體層包含硅、硅和晶格調(diào)整元素，或者硅和n型摻雜劑；(d)在所述含硅體層中注入所述晶格調(diào)整元素或者所述n型摻雜劑中的至少一種，所述晶格調(diào)整元素或者所述n型摻雜劑中的至少一種不在步驟(c)中沉積的所述含硅體層中；和(e)在步驟(d)注入之后，使用能量光束對(duì)所述含硅體層進(jìn)行退火。

專利地區(qū)：美國(guó)