凹陷半導體襯底專利登記公告

專利名稱：凹陷半導體襯底

摘要：本公開內容的實施例提供一種裝置，該裝置包括：半導體襯底，具有第一表面，與第一表面相對設置的第二表面，其中第一表面的至少部分被凹陷以形成半導體襯底的凹陷區(qū)域，以及一個或者多個過孔，形成于半導體襯底的凹陷區(qū)域中以在半導體襯底的第一表面與第二表面之間提供電或者熱通路；以及裸片，耦合到半導體襯底，該裸片電耦合到在半導體襯底的凹陷區(qū)域中形成的一個或者多個過孔?？梢悦枋龊?或要求保護其它實施例。

專利類型：發(fā)明專利

專利號：CN201180005381.7

專利申請（專利權）人：馬維爾國際貿易有限公司

專利發(fā)明（設計）人：吳亞伯;陳若文;韓忠群;劉憲明;衛(wèi)健群;常潤滋;吳嘉洛;鄭全成

主權項：一種裝置，包括：半導體襯底，具有：第一表面，第二表面，與所述第一表面相對設置，其中所述第一表面的至少部分被凹陷以形成所述半導體襯底的凹陷區(qū)域，以及一個或者多個過孔，形成于所述半導體襯底的所述凹陷區(qū)域中以在所述半導體襯底的所述第一表面與所述第二表面之間提供電或者熱通路；以及裸片，耦合到所述半導體襯底，所述裸片電耦合到所述在半導體襯底的所述凹陷區(qū)域中形成的所述一個或者多個過孔。

專利地區(qū)：巴巴多斯