Ⅲ族氮化物半導(dǎo)體的n型接觸電極及其形成方法專利登記公告

專利名稱：Ⅲ族氮化物半導(dǎo)體的n型接觸電極及其形成方法

摘要：本發(fā)明提供作為n型氮化物半導(dǎo)體的，例如AlxInyGazN（x、y、z為滿足0＜x≦1.0、0≦y≦0.1、0≦z＜1.0的有理數(shù)，x＋y＋z＝1.0）的n型接觸電極的形成方法。該方法具有下述工序，即在該n型半導(dǎo)體層上形成從Ti、V、Ta這一組中選出的至少1種金屬構(gòu)成的第一電極金屬層后，在800℃以上1200℃以下溫度進(jìn)行熱處理的工序、以及在上述第一電極金屬層上，形成包含Al等功函數(shù)為4.0eV～4.8eV，而且比電阻為1.5×10-6Ω·cm～4.0×10-6Ω·cm的金屬構(gòu)成的層的第二電極金屬層后，在

專利類型：發(fā)明專利

專利號(hào)：CN201080059112.4

專利申請(qǐng)（專利權(quán)）人：株式會(huì)社德山

專利發(fā)明（設(shè)計(jì)）人：溜直樹;木下亨

主權(quán)項(xiàng)：一種在Ⅲ族氮化物單晶構(gòu)成的n型半導(dǎo)體層上形成n型接觸電極的方法，其特征在于，包含下述工序，即在該n型半導(dǎo)體層上形成Ti、V、Ta這一組中選擇出的至少1種構(gòu)成的金屬層形成的第一電極金屬層后，在800℃以上1200℃以下溫度進(jìn)行熱處理的工序、以及在所述第一電極金屬層上形成包含功函數(shù)為4.0eV～4.8eV，而且比電阻為1.5×10?6Ω·cm～4.0×10?6Ω·cm的金屬構(gòu)成的高導(dǎo)電性金屬層的第二電極金屬層后，在700℃以上1000℃以下溫度進(jìn)行熱處理的工序。

專利地區(qū)：日本