選擇性硅蝕刻方法專利登記公告

專利名稱：選擇性硅蝕刻方法

摘要：本發(fā)明提供了用于蝕刻設(shè)置于基板上的硅層的方法，所述方法包括各向異性地蝕刻所述硅層中的第一凹槽；選擇性地各向異性濕蝕刻所述第一凹槽中的硅表面，所述濕蝕刻包括使所述硅表面接觸含有芳香性三(低級(jí))烷基季鎓鹽氫氧化物和不對(duì)稱四烷基季鏻鹽的含水組合物；其中所述濕蝕刻以大約相等的速率且優(yōu)先于(111)平面對(duì)所述硅層的(110)和(100)平面進(jìn)行蝕刻，以在(111)平面中形成具有側(cè)壁的加大凹槽。硅合金可外延沉積在由此產(chǎn)生的凹槽中，作為將應(yīng)力引入硅層的至少一部分中的方法的一部分。

專利類型：發(fā)明專利

專利號(hào)：CN201080048036.7

專利申請(qǐng)（專利權(quán)）人：塞克姆公司

專利發(fā)明（設(shè)計(jì)）人：西安·科林斯;威廉·A·沃伊特恰克

主權(quán)項(xiàng)：蝕刻設(shè)置于基板上的硅層的方法，所述方法包括：各向異性地蝕刻所述硅層中的第一凹槽；選擇性地各向異性濕蝕刻所述第一凹槽中的硅表面，所述濕蝕刻包括使所述硅表面接觸含有以下成分的含水組合物：含芳香性的季鎓氫氧化物，和不對(duì)稱四烷基季鏻鹽；其中所述濕蝕刻以大約相等的速率且優(yōu)先于(111)平面對(duì)所述硅層的(110)和(100)平面進(jìn)行蝕刻，以在所述(111)平面中形成具有側(cè)壁的加大凹槽。

專利地區(qū)：美國