通過使用氧等離子體的鈍化維持高K柵極堆棧的完整性專利登記公告

專利名稱：通過使用氧等離子體的鈍化維持高K柵極堆棧的完整性

摘要：在半導(dǎo)體裝置中，形成薄硅氮基材料之后通過暴露材料至氧等離子體（110）可以增加氮化鈦材料（152）的完整性。該氧等離子體（110）可導(dǎo)致通過硅氮基材料未適當(dāng)?shù)母采w的任何細(xì)微表面部份的額外的鈍化。所以，額外的鈍化之后，沒有不必要的氮化鈦材料（152）材料損失而可以進(jìn)行高效清潔配方(例如在掃描式探針顯微鏡（SPM）的基礎(chǔ)上的清潔工藝(111))進(jìn)行。以此方式，高效清潔工藝的基礎(chǔ)上，精密的高K金屬柵堆疊柵極可形成有非常薄的保護(hù)襯墊材料，而不會在早期製造階段過度導(dǎo)致顯著的產(chǎn)量損失。

專利類型：發(fā)明專利

專利號：CN201080048061.5

專利申請（專利權(quán)）人：格羅方德半導(dǎo)體公司

專利發(fā)明（設(shè)計）人：S·拜爾;R·卡爾特;A·黑爾米希;B·雷梅爾

主權(quán)項(xiàng)：一種半導(dǎo)體裝置的材料系統(tǒng)的處理方法，包括：于氮化鈦材料（152）的暴露表面區(qū)域（152S）上沈積電介質(zhì)材料（156），而該氮化鈦材料（152）形成于半導(dǎo)體裝置的基板（101）上方；暴露該基板（101）至氧等離子體（110）；暴露至該氧等離子體后，通過硫酸的基礎(chǔ)上進(jìn)行清潔工藝自該電介質(zhì)材料（156）移除污染物；以及在存在該電介質(zhì)材料（156）與該氮化鈦材料（152），在半導(dǎo)體裝置上進(jìn)行一或多進(jìn)一步的工藝（111）。

專利地區(qū)：開曼群島