半導(dǎo)體裝置專利登記公告

專利名稱：半導(dǎo)體裝置

摘要：本發(fā)明提供一種半導(dǎo)體裝置，在單元列(A1)的N型阱區(qū)域(NW)中設(shè)置阱電位供給區(qū)域(14n)。以同一間距配置在阱電位供給區(qū)域(14n)的橫向兩側(cè)配置的相鄰柵極(15a、15b)、進(jìn)一步在兩側(cè)配置的相鄰柵極(15c、15d)。此外，相鄰單元列(A2)具有在縱向上分別與相鄰柵極(15a～15d)對(duì)置的4根柵極(15e～15h)。即，阱電位供給區(qū)域(14n)周邊的柵極圖案維持形狀規(guī)則性。

專利類型：發(fā)明專利

專利號(hào)：CN201080058540.5

專利申請(qǐng)（專利權(quán)）人：松下電器產(chǎn)業(yè)株式會(huì)社

專利發(fā)明（設(shè)計(jì)）人：田丸雅規(guī);中西和幸;西村英敏

主權(quán)項(xiàng)：一種半導(dǎo)體裝置，在第1方向上排列配置了多個(gè)單元列，在每個(gè)單元列中，在所述第1方向延伸的多個(gè)柵極被排列配置在與所述第1方向正交的第2方向上，所述多個(gè)單元列分別具備在所述柵極的下方形成且分別在所述第2方向上延伸的第1導(dǎo)電型阱區(qū)域及第2導(dǎo)電型阱區(qū)域，作為所述多個(gè)單元列之一的第1單元列具備：第1阱電位供給區(qū)域，是在所述第1導(dǎo)電型阱區(qū)域中注入導(dǎo)電型與所述第1導(dǎo)電型阱區(qū)域相同的雜質(zhì)而形成的；第1及第2相鄰柵極，其分別配置在所述第1阱電位供給區(qū)域的所述第2方向上的兩側(cè)；第3相鄰柵極，在所述第1阱電位供給區(qū)域的相反側(cè)相鄰

專利地區(qū)：日本