基于在淺溝槽隔離(STI)邊緣局部引入的注入種類的場效應晶體管的漏電流控制專利登記公告

專利名稱：基于在淺溝槽隔離(STI)邊緣局部引入的注入種類的場效應晶體管的漏電流控制

摘要：在靜態(tài)存儲器單元中，在利用絕緣材料填充隔離溝槽(203T)之前，透過該隔離溝槽(203T)的側(cè)壁(203S)在主動區(qū)(202C)的端部納入注入種類可顯著降低形成連接該主動區(qū)(202C)與該隔離區(qū)(203)上方的柵極電極結(jié)構(gòu)(210A)的接觸組件時的失效率。該注入種類可為P型摻雜種類和/或惰性種類，以顯著改變該主動區(qū)(202C)的該端部的材料特性。

專利類型：發(fā)明專利

專利號：CN201080043865.6

專利申請（專利權(quán)）人：格羅方德半導體公司

專利發(fā)明（設計）人：T·卡姆勒;M·維爾特;R·博施克;P·亞沃爾卡

主權(quán)項：一種方法，包括：在半導體裝置的半導體材料(202)中形成隔離溝槽(203T)，該隔離溝槽(203T)具有側(cè)壁(203S)，其連接該半導體裝置的存儲器單元的第一晶體管的主動區(qū)(202C)，該側(cè)壁(203S)沿長度方向界定該主動區(qū)(202C)；透過該側(cè)壁(203S)的至少其中部分向該主動區(qū)(202C)的部分引入注入種類，該注入種類自該側(cè)壁(203S)向該主動區(qū)(202C)內(nèi)沿該長度方向延伸特定距離；引入該注入種類后，利用絕緣材料填充該隔離溝槽(203T)，以形成隔離結(jié)構(gòu)(203)；在該主動區(qū)(202C)之中及

專利地區(qū)：開曼群島