清潔碳化硅半導體的方法和用于清潔碳化硅半導體的裝置專利登記公告

專利名稱：清潔碳化硅半導體的方法和用于清潔碳化硅半導體的裝置

摘要：本發(fā)明提供一種清潔SiC半導體的方法，所述方法包括在碳化硅半導體(1)的表面上形成氧化膜(3)的步驟(步驟S2)和除去所述氧化膜(3)的步驟(步驟S3)。在所述除去所述氧化膜(3)的步驟(步驟S3)中，使用鹵素等離子體或氫等離子體除去所述氧化膜(3)。在所述除去所述氧化膜(3)的步驟(步驟S3)中，優(yōu)選使用氟等離子體作為鹵素等離子體。能夠?qū)λ鯯iC半導體(1)進行清潔，使得實現(xiàn)良好的表面特性。

專利類型：發(fā)明專利

專利號：CN201180004208.5

專利申請（專利權）人：住友電氣工業(yè)株式會社

專利發(fā)明（設計）人：宮崎富仁;和田圭司;日吉透

主權項：一種清潔碳化硅半導體的方法，所述方法包括如下步驟：在碳化硅半導體(1)的表面上形成氧化膜(3)；和除去所述氧化膜(3)，在所述除去所述氧化膜(3)的步驟中，使用鹵素等離子體或氫等離子體。

專利地區(qū)：日本