圖案化植入用的步進遮罩方法專利登記公告

專利名稱：圖案化植入用的步進遮罩方法

摘要：揭示一種移動遮罩以執(zhí)行襯底的圖案化植入的改良方法。所述遮罩具有多個孔隙，且置放于離子源與所述襯底之間。在將所述襯底暴露于離子束之后，將所述遮罩相對于所述襯底指引至新位置且執(zhí)行后續(xù)植入步驟?？山?jīng)由選擇孔隙大小以及形狀、指引距離以及植入步驟的數(shù)目來產(chǎn)生多種植入圖案。在一些實施例中，所述植入圖案包含重摻雜水平條帶，其中較輕摻雜區(qū)域介于所述條帶之間。在一些實施例中，所述植入圖案包含重摻雜區(qū)域的柵格。在其他實施例中，所述植入圖案適合于與匯流排結構一起使用。

專利類型：發(fā)明專利

專利號：CN201080046602.0

專利申請（專利權）人：瓦里安半導體設備公司

專利發(fā)明（設計）人：班杰明·B·里歐登;尼可拉斯·P·T·貝特曼;查爾斯·T·卡爾森

主權項：一種將圖案植入至襯底中的方法，包括：在所述襯底與離子源之間置放具有至少一個孔隙的遮罩；將所述襯底暴露于所述離子源，藉此將離子植入于與所述孔隙對準的所述襯底的第一區(qū)域中；在第一方向上相對于所述襯底移動所述遮罩，以使得所述孔隙與所述襯底的第二區(qū)域對準；以及將所述襯底暴露于所述離子源，藉此將離子植入于所述襯底的所述第二區(qū)域中，藉此所述第一區(qū)域的部分與所述第二區(qū)域的部分重疊，從而產(chǎn)生重植入?yún)^(qū)域。

專利地區(qū)：美國