用于含硅薄膜的平滑SiConi蝕刻法專利登記公告

專利名稱：用于含硅薄膜的平滑SiConi蝕刻法

摘要：本發(fā)明描述一種蝕刻含硅材料的方法，該方法包含相較于先前技術(shù)具有較大或較小的氫氟流速比的SiConiTM蝕刻。已發(fā)現(xiàn)以此方法改變流速比可降低蝕刻后表面的粗糙度，以及降低稠密圖案化區(qū)域與稀疏圖案化區(qū)域的蝕刻速率差異。其他降低蝕刻后表面粗糙度的手段包含脈沖化前體的流動(dòng)和/或等離子體功率、維持相對(duì)高的基板溫度與在多個(gè)步驟中執(zhí)行SiConiTM。上述每個(gè)方法可單獨(dú)或合并使用，用于通過(guò)限制固態(tài)殘留物晶粒大小來(lái)降低蝕刻表面的粗糙度。

專利類型：發(fā)明專利

專利號(hào)：CN201080059775.6

專利申請(qǐng)（專利權(quán)）人：應(yīng)用材料公司

專利發(fā)明（設(shè)計(jì)）人：J·唐;N·英格爾;D·楊

主權(quán)項(xiàng)：一種在基板處理室的基板處理區(qū)中蝕刻在基板的表面上的含硅層的方法，其中所述方法遺留下相對(duì)平滑的蝕刻后（post?etch）表面，所述方法包含：將含氟前體與含氫前體流入第一遠(yuǎn)端等離子體區(qū)，并同時(shí)在所述第一等離子體區(qū)中形成等離子體以產(chǎn)生等離子體流出物（plasma?effluents），所述第一遠(yuǎn)端等離子體區(qū)流體地耦合至所述基板處理區(qū)，其中所述含氟前體的流速與所述含氫前體的流速所導(dǎo)致的氫?氟原子流速比（flow?ratio）為小于1：1或大于5：1；通過(guò)使所述等離子體流出物流入所述基板處理區(qū)來(lái)蝕刻所述含硅層，并

專利地區(qū)：美國(guó)