半導(dǎo)體器件以及用于制造半導(dǎo)體器件的方法專利登記公告

專利名稱：半導(dǎo)體器件以及用于制造半導(dǎo)體器件的方法

摘要：在n-漂移層(1)的一個(gè)主表面上形成p陽極層(2)。在n-漂移層(1)的另一主表面上形成雜質(zhì)濃度大于n-漂移層(1)的n+陰極層(3)。在p陽極層(2)的表面上形成陽極電極(4)。在n+陰極層(3)的表面上形成陰極電極(5)。在n-漂移層(1)中形成凈摻雜濃度大于晶片的體雜質(zhì)濃度且小于n+陰極層(3)的體雜質(zhì)濃度的n型寬緩沖區(qū)(6)。n-漂移層(1)的電阻率ρ0相對(duì)于額定電壓V0滿足0.12V0≤ρ0≤0.25V0。寬緩沖區(qū)(6)的凈摻雜濃度總量大于或等于4.8×1011原子/cm2且小于或等于1.0×1

專利類型：發(fā)明專利

專利號(hào)：CN201080049553.6

專利申請(qǐng)（專利權(quán)）人：富士電機(jī)株式會(huì)社

專利發(fā)明（設(shè)計(jì)）人：根本道生;吉村尚

主權(quán)項(xiàng)：一種半導(dǎo)體器件，包括：第一導(dǎo)電型的第一半導(dǎo)體層；設(shè)置在所述第一半導(dǎo)體層的一個(gè)主表面上且雜質(zhì)濃度大于所述第一半導(dǎo)體層的第二導(dǎo)電型的第二半導(dǎo)體層；設(shè)置在所述第一半導(dǎo)體層的另一主表面上且雜質(zhì)濃度大于所述第一半導(dǎo)體層的第一導(dǎo)電型的第三半導(dǎo)體層；以及設(shè)置在所述第一半導(dǎo)體層中且雜質(zhì)濃度大于所述第一半導(dǎo)體層、并且雜質(zhì)濃度分布的局部最大值小于所述第二半導(dǎo)體層和所述第三半導(dǎo)體層的雜質(zhì)濃度的第一導(dǎo)電型的寬緩沖區(qū)，其中所述寬緩沖區(qū)的凈摻雜濃度的總量大于或等于4.8×1011原子/cm2且小于或等于1.0×1012原子/cm2，

專利地區(qū)：日本