基板、紅外線傳感器以及貫通電極形成方法專利登記公告

專利名稱：基板、紅外線傳感器以及貫通電極形成方法

摘要：本發(fā)明提供了一種基板、紅外線傳感器以及貫通電極形成方法。在元件電路形成前的襯底基板上形成導(dǎo)通孔，在所述襯底基板的元件電路形成面與所述導(dǎo)通孔的內(nèi)面上進(jìn)行熱氧化以形成熱氧化層。在所述熱氧化工序之后，在所述襯底基板上形成具有導(dǎo)電部的元件電路，然后，在所述導(dǎo)通孔內(nèi)以嵌入方式形成導(dǎo)電體。

專利類型：發(fā)明專利

專利號(hào)：CN201210070821.3

專利申請(qǐng)（專利權(quán)）人：精工愛普生株式會(huì)社

專利發(fā)明（設(shè)計(jì)）人：依田剛;橋元伸晃

主權(quán)項(xiàng)：一種基板，其特征在于，具有：襯底基板，形成有在一個(gè)面和另一個(gè)面上開口的導(dǎo)通孔；第一絕緣層，包括形成在所述襯底基板的所述一個(gè)面以及所述導(dǎo)通孔內(nèi)的面上的熱氧化層；導(dǎo)電體，由所述第一絕緣層包圍，設(shè)置在所述導(dǎo)通孔內(nèi)；以及布線層，與所述導(dǎo)電體連接，經(jīng)由所述第一絕緣層而設(shè)置在所述襯底基板的所述一個(gè)面上，其中，所述第一絕緣層在所述襯底基板的所述一個(gè)面上的厚度與所述第一絕緣層在所述導(dǎo)通孔內(nèi)的面上的厚度相同。

專利地區(qū)：日本