成膜方法和成膜裝置專利登記公告

專利名稱：成膜方法和成膜裝置

摘要：本發(fā)明提供的成膜方法包括：在成膜裝置（100）的處理容器（1）內(nèi)配置設(shè)置有絕緣膜的晶片（W）的工序；在處理容器（1）內(nèi)供給TEOS等含有硅原子的化合物的氣體和水蒸汽等OH基供給性氣體，使Si-OH基在絕緣膜的表面形成的表面改性工序；和在處理容器（1）內(nèi)供給包含含錳材料的成膜氣體，由CVD法在形成有Si-OH基的絕緣膜的表面形成含錳膜的成膜工序。在表面改性工序中，在處理容器內(nèi)既可以同時(shí)也可以交替地供給含有硅原子的化合物的氣體和OH基供給性氣體。

專利類(lèi)型：發(fā)明專利

專利號(hào)：CN201180005389.3

專利申請(qǐng)（專利權(quán)）人：東京毅力科創(chuàng)株式會(huì)社

專利發(fā)明（設(shè)計(jì)）人：三好秀典;伊藤仁;佐藤浩

主權(quán)項(xiàng)：一種成膜方法，其特征在于，包括：在成膜裝置的處理容器內(nèi)，配置設(shè)置有絕緣膜的被處理體的工序；在所述處理容器內(nèi)，供給含有硅原子的化合物的氣體和OH基供給性氣體，或供給具有硅原子和OH基的化合物的氣體，使Si?OH基在所述絕緣膜的表面形成的表面改性工序；和在所述處理容器內(nèi)供給包含含錳材料的成膜氣體，由CVD法在形成有所述Si?OH基的絕緣膜的表面形成含錳膜的成膜工序。

專利地區(qū)：日本