用于制造半導(dǎo)體器件的方法專利登記公告

專利名稱：用于制造半導(dǎo)體器件的方法

摘要：本發(fā)明提供了一種用于制造半導(dǎo)體器件的方法，包括：用于制備復(fù)合晶圓的步驟；用于在復(fù)合晶圓上形成有源層（23）以獲得第一中間晶圓的步驟；用于在第一中間晶圓上形成表面電極（24）以獲得第二中間晶圓的步驟；用于將粘性帶（71）粘貼到表面電極（24）側(cè)以支撐第二中間晶圓的步驟；用于在利用粘性帶（71）繼續(xù)支撐第二中間層的同時(shí)移除支撐層（21）的步驟；用于通過(guò)將粘性帶粘貼到后表面電極側(cè)并且移除前表面電極（23）側(cè)上的粘性帶（71）來(lái)利用粘性帶支撐多個(gè)SiC襯底（22）的步驟；以及用于在由后表面電極側(cè)上的粘性帶支撐Si

專利類型：發(fā)明專利

專利號(hào)：CN201180005029.3

專利申請(qǐng)（專利權(quán)）人：住友電氣工業(yè)株式會(huì)社

專利發(fā)明（設(shè)計(jì)）人：堀井拓

主權(quán)項(xiàng)：一種用于制造半導(dǎo)體器件（1）的方法，包括下述步驟：制備復(fù)合晶圓（10），其中每個(gè)均由碳化硅單晶制成的多個(gè)SiC襯底（22）當(dāng)在平面視圖中觀察時(shí)被并排布置，并且所述多個(gè)SiC襯底（22）的在一側(cè)的主表面通過(guò)支撐層（21）彼此連接；通過(guò)在所述復(fù)合晶圓（10）的所述SiC襯底（22）中的每一個(gè)上形成有源層（23）來(lái)制作第一中間晶圓（11）；通過(guò)在所述第一中間晶圓（11）的所述有源層（23）上形成前側(cè)電極（24）來(lái)制作第二中間晶圓（12）；通過(guò)將所述第二中間晶圓（12）的形成有所述前側(cè)電極（24）的主表面粘附到粘

專利地區(qū)：日本