處理絕緣體上硅晶片的方法專利登記公告

專利名稱：處理絕緣體上硅晶片的方法

摘要：提供了一種用于在絕緣體上硅結(jié)構(gòu)上蝕刻和/或沉積外延層的方法，該絕緣體上硅結(jié)構(gòu)包括處理晶片、硅層以及在處理晶片和硅層之間的介質(zhì)層。該硅層具有限定該結(jié)構(gòu)的外表面的裂開表面。然后，蝕刻晶片的裂開表面，同時(shí)控制反應(yīng)器的溫度以便蝕刻反應(yīng)受動(dòng)力學(xué)限制。然后，在所述晶片上沉積外延層，同時(shí)控制所述反應(yīng)器的溫度以便在所述裂開表面上的沉積速率受動(dòng)力學(xué)限制。

專利類型：發(fā)明專利

專利號(hào)：CN201080059531.8

專利申請(qǐng)（專利權(quán)）人：MEMC電子材料有限公司

專利發(fā)明（設(shè)計(jì)）人：S·Y·杜馬爾;L·P·弗蘭納里;T·A·托拉克;J·A·皮特尼

主權(quán)項(xiàng)：一種用于處理絕緣體上硅結(jié)構(gòu)的方法，所述絕緣體上硅結(jié)構(gòu)包括處理晶片、硅層以及在所述處理晶片和所述硅層之間的介質(zhì)層，所述硅層具有限定所述結(jié)構(gòu)的外表面的裂開表面，所述方法包括如下步驟：將所述結(jié)構(gòu)插入反應(yīng)器中；蝕刻所述裂開表面，同時(shí)控制所述反應(yīng)器的溫度以便所述蝕刻反應(yīng)受動(dòng)力學(xué)限制；在所述晶片上沉積外延層，同時(shí)控制所述反應(yīng)器的溫度以便在所述裂開表面上的沉積速率受動(dòng)力學(xué)限制。

專利地區(qū)：美國(guó)