碳化硅襯底、半導(dǎo)體器件、制造碳化硅襯底的方法和制造半導(dǎo)體器件的方法專(zhuān)利登記公告

專(zhuān)利名稱(chēng)：碳化硅襯底、半導(dǎo)體器件、制造碳化硅襯底的方法和制造半導(dǎo)體器件的方法

摘要：碳化硅襯底（80）的主表面（M80）在相對(duì)于六方晶體的｛0001｝面的偏離方向上以偏離角傾斜。主表面（M80）具有下述特性：在由具有比六方碳化硅的帶隙更高的能量的激發(fā)光引起的主表面的發(fā)射具有超過(guò)650nm的波長(zhǎng)的光致發(fā)光光的區(qū)域中，下述區(qū)域的數(shù)目至多為每1cm21×104，該區(qū)域在與偏離方向垂直的方向上具有至多15μm的尺寸并且在平行于偏離方向的方向上具有不大于通過(guò)將激發(fā)光（LL）在六方碳化硅中的穿透長(zhǎng)度除以偏離角的正切獲得的值的尺寸。因此，能夠減少反向漏電流。

專(zhuān)利類(lèi)型：發(fā)明專(zhuān)利

專(zhuān)利號(hào)：CN201180005010.9

專(zhuān)利申請(qǐng)（專(zhuān)利權(quán)）人：住友電氣工業(yè)株式會(huì)社

專(zhuān)利發(fā)明（設(shè)計(jì)）人：原田真;本家翼

主權(quán)項(xiàng)：一種碳化硅襯底（80），包括：側(cè)表面；和主表面（M80），所述主表面（M80）由所述側(cè)表面圍繞；其中所述碳化硅襯底具有六方晶體結(jié)構(gòu)；所述主表面從所述六方晶體的｛0001｝面在偏離方向上以偏離角傾斜；并且所述主表面具有下述特性：在由具有比六方碳化硅的帶隙高的能量的激發(fā)光（LE）引起的、所述主表面的發(fā)射具有超過(guò)650nm的波長(zhǎng)的光致發(fā)光光（LL）的區(qū)域當(dāng)中，下述區(qū)域的數(shù)目至多為每1cm21×104，所述區(qū)域在與所述偏離方向垂直的方向上具有至多15μm的尺寸并且在平行于所述偏離方向的方向上具有不大于通過(guò)將所述激

專(zhuān)利地區(qū)：日本