一種高定向超材料天線專利登記公告

專利名稱：一種高定向超材料天線

摘要：本發(fā)明公開了一種高定向超材料天線，包括輻射器、第一超材料以及第二超材料，所述輻射器與所述第一超材料及第二超材料相對順序設(shè)置，所述第一超材料存在一區(qū)段，所述區(qū)段的中部各單元的等效介電常數(shù)ε與等效磁導(dǎo)率μ之乘積為最低值，其它各單元的等效介電常數(shù)ε與等效磁導(dǎo)率μ乘積值從大到小呈漸變趨勢，且，其所述漸變趨勢向所述最低值所在的單元趨近；所述第二超材料存在一區(qū)段，所述區(qū)段的中部各單元的等效介電常數(shù)ε與等效磁導(dǎo)率μ之乘積為最高值，其它各單元的等效介電常數(shù)ε與等效磁導(dǎo)率μ乘積值從小到大呈漸變趨勢，且，其所述漸變趨勢向所述

專利類型：發(fā)明專利

專利號：CN201110061802.X

專利申請（專利權(quán)）人：深圳光啟高等理工研究院;深圳光啟創(chuàng)新技術(shù)有限公司

專利發(fā)明（設(shè)計(jì)）人：劉若鵬;李岳峰;徐冠雄;季春霖

主權(quán)項(xiàng)：一種高定向超材料天線，其特征在于，包括輻射器、第一超材料以及第二超材料，所述輻射器與所述第一超材料及第二超材料相對順序設(shè)置，所述第一超材料存在一區(qū)段，所述區(qū)段的中部各單元的等效介電常數(shù)ε與等效磁導(dǎo)率μ之乘積為最低值，其它各單元的等效介電常數(shù)ε與等效磁導(dǎo)率μ乘積值從大到小呈漸變趨勢，且，其所述漸變趨勢向所述最低值所在的單元趨近；所述第二超材料存在一區(qū)段，所述區(qū)段的中部各單元的等效介電常數(shù)ε與等效磁導(dǎo)率μ之乘積為最高值，其它各單元的等效介電常數(shù)ε與等效磁導(dǎo)率μ乘積值從小到大呈漸變趨勢，且，其所述漸變趨勢向所述

專利地區(qū)：廣東