使用掩模提供圖案化基底的方法專利登記公告

專利名稱：使用掩模提供圖案化基底的方法

摘要：本發(fā)明描述了一種制備具有圖案化掩模層的基底的方法，所述圖案化掩模層具有諸如重復(fù)條紋的精細特征。所述方法包括以下步驟：形成基底，所述基底的第一主表面上具有帶預(yù)定圖案的轉(zhuǎn)移層；提供在所述第一主表面上具有所述轉(zhuǎn)移層的所述基底；提供具有主體和多個接觸部分的結(jié)構(gòu)化工具，所述接觸部分的楊氏模量介于約0.5Gpa至約30Gpa之間；加熱所述結(jié)構(gòu)化工具或所述基底；使所述轉(zhuǎn)移層與所述結(jié)構(gòu)化工具接觸；冷卻所述轉(zhuǎn)移層；并且將所述結(jié)構(gòu)化工具從所述轉(zhuǎn)移層退出，使得所述轉(zhuǎn)移層的一些部分隨著所述結(jié)構(gòu)化工具分離，在所述轉(zhuǎn)移層中留下穿過所

專利類型：發(fā)明專利

專利號：CN201080060295.1

專利申請（專利權(quán)）人：3M創(chuàng)新有限公司

專利發(fā)明（設(shè)計）人：馬修·S·斯泰;米哈伊爾·L·佩庫羅夫斯基

主權(quán)項：一種形成基底的方法，所述基底的第一主表面上具有帶預(yù)定圖案的轉(zhuǎn)移層，所述方法包括：提供在第一主表面上具有轉(zhuǎn)移層的基底；提供具有主體和多個接觸部分的結(jié)構(gòu)化工具，所述接觸部分的楊氏模量介于約0.5Gpa至約30Gpa之間；加熱所述結(jié)構(gòu)化工具或所述基底；使所述轉(zhuǎn)移層與所述結(jié)構(gòu)化工具接觸；冷卻所述轉(zhuǎn)移層；并且從所述轉(zhuǎn)移層退出所述結(jié)構(gòu)化工具，使得所述轉(zhuǎn)移層的一些部分隨著所述結(jié)構(gòu)化工具分離，在所述轉(zhuǎn)移層中留下穿過所述轉(zhuǎn)移層一直延伸至所述基底的開口，從而形成具有預(yù)定圖案的轉(zhuǎn)移層。

專利地區(qū)：美國