磁阻元件的制造方法專利登記公告

專利名稱：磁阻元件的制造方法

摘要：提供一種通過氧化金屬層(例如，鎂層)形成金屬氧化物層(例如，氧化鎂層)的方法。所述方法可制造具有更高磁阻比的磁阻元件。所提供的方法包括：制備具有第一鐵磁性層形成于其上的基板的步驟；在所述第一鐵磁性層頂部制作隧道勢壘層的步驟，和在所述隧道勢壘層頂部形成第二鐵磁性層的步驟。所述制作隧道勢壘層的步驟包括：將第一金屬層形成于所述第一鐵磁性層頂部的步驟；氧化所述第一金屬層的步驟；將第二金屬層形成于所述氧化的第一金屬層頂部的步驟；和在第二金屬層蒸發(fā)的溫度下加熱處理所述氧化的第一金屬層和所述第二金屬層的步驟。

專利類型：發(fā)明專利

專利號：CN201080059892.2

專利申請（專利權）人：佳能安內華股份有限公司

專利發(fā)明（設計）人：西村和正

主權項：一種磁阻元件的制造方法，其包括：設置具有第一鐵磁性層的基板的步驟；在所述第一鐵磁性層上制作隧道勢壘層的步驟；和在所述隧道勢壘層上形成第二鐵磁性層的步驟，其中所述制作隧道勢壘層的步驟包括：在所述第一鐵磁性層上沉積第一金屬層的步驟；氧化所述第一金屬層的步驟；在所述氧化的第一金屬層上沉積第二金屬層的步驟；和對所述氧化的第一金屬層和所述第二金屬層進行加熱處理的步驟。

專利地區(qū)：日本