用于含VA族元素的薄膜ALD的前體的合成和使用專利登記公告

專利名稱：用于含VA族元素的薄膜ALD的前體的合成和使用

摘要：提供用于形成包含VA族元素的薄膜諸如Sb、Sb-Te、Ge-Sb和Ge-Sb-Te薄膜的原子層沉積(ALD)方法，以及相關(guān)組成和結(jié)構(gòu)。優(yōu)選地使用式Sb(SiR1R2R3)3的Sb前體，其中R1、R2和R3為烷基。也描述了As、Bi和P前體。也提供用于合成這些Sb前體的方法。也提供在相變存儲設(shè)備中使用Sb薄膜的方法。

專利類型：發(fā)明專利

專利號：CN201080059497.4

專利申請（專利權(quán)）人：ASM國際公司

專利發(fā)明（設(shè)計）人：V·鮑爾;T·哈坦帕;M·瑞塔拉;M·來斯科拉

主權(quán)項：原子層沉積(ALD)方法，用于在反應(yīng)室中在基底上形成含Sb的薄膜，其包括多個Sb沉積循環(huán)，每個循環(huán)包括：提供第一氣相反應(yīng)物的脈沖進入所述反應(yīng)室，以便在所述基底上形成只有大約一個單分子層的所述反應(yīng)物；從所述反應(yīng)室清除過量的第一反應(yīng)物；提供第二氣相反應(yīng)物的脈沖至所述反應(yīng)室，以便所述第二氣相反應(yīng)物與在所述基底上的所述第一反應(yīng)物反應(yīng)，以形成含Sb薄膜，其中所述第二氣相反應(yīng)物包括Sb(SiR1R2R3)3，其中R1、R2和R3為具有一個或多個碳原子的烷基；和如果有的話，從所述反應(yīng)室清除過量的第二反應(yīng)物和反應(yīng)副產(chǎn)物。

專利地區(qū)：荷蘭