氣體注入單元和使用該氣體注入單元的薄膜氣相沉積設(shè)備及方法專利登記公告

專利名稱：氣體注入單元和使用該氣體注入單元的薄膜氣相沉積設(shè)備及方法

摘要：本發(fā)明公開一種氣體注入單元和使用該氣體注入單元的薄膜氣相沉積設(shè)備及方法。所述氣體注入單元包括：內(nèi)部管道，通過所述內(nèi)部管道引入反應(yīng)氣體；外部管道，所述外部管道包圍所述內(nèi)部管道，冷卻所述內(nèi)部管道內(nèi)的反應(yīng)氣體的冷卻液通過所述外部管道流動；以及注入管道，所述注入管道將所述內(nèi)部管道內(nèi)的反應(yīng)氣體注入到所述外部管道的外部。

專利類型：發(fā)明專利

專利號：CN201080057366.2

專利申請（專利權(quán)）人：細(xì)美事有限公司

專利發(fā)明（設(shè)計）人：樸炯洙

主權(quán)項：一種用于沉積薄層的設(shè)備，包括：工藝腔室；基板支撐單元，所述基板支撐單元被配置在所述工藝腔室中，用于支撐基板；加熱器，所述加熱器加熱由所述基板支撐單元支撐的基板；氣體注入單元，所述氣體注入單元被配置在所述工藝腔室內(nèi)基板支撐單元的上方；其中，所述氣體注入單元包括：內(nèi)部管道，通過所述內(nèi)部管道引入反應(yīng)氣體；外部管道，所述外部管道包圍所述內(nèi)部管道，冷卻所述內(nèi)部管道內(nèi)的反應(yīng)氣體的冷卻液通過所述外部管道流動；以及注入管道，所述注入管道將所述內(nèi)部管道內(nèi)的反應(yīng)氣體注入到所述外部管道的外部。

專利地區(qū)：韓國