帶反射層的EUV光刻用襯底、EUV光刻用反射型掩模坯料、EUV光刻用反射型掩模、和該帶反射層的襯底的制造方法專利登記公告

專利名稱：帶反射層的EUV光刻用襯底、EUV光刻用反射型掩模坯料、EUV光刻用反射型掩模、和該帶反射層的襯底的制造方法

摘要：本發(fā)明提供抑制了由自釕（Ru）保護層的氧化導(dǎo)致的反射率降低的EUV掩模坯料、和該EUV掩模坯料的制造中使用的帶反射層的襯底、以及該帶反射層的襯底的制造方法。一種帶反射層的EUV光刻用襯底，其特征在于，其在襯底上依次形成有用于反射EUV光的反射層和用于保護該反射層的保護層，前述反射層為Mo/Si多層反射膜，前述保護層為Ru層或Ru化合物層，在前述反射層與前述保護層之間形成有含有0.5~25at%的氮且含有75~99.5at%的Si的中間層。

專利類型：發(fā)明專利

專利號：CN201080056266.8

專利申請（專利權(quán)）人：旭硝子株式會社

專利發(fā)明（設(shè)計）人：三上正樹;駒木根光彥;生田順亮

主權(quán)項：一種帶反射層的EUV光刻用襯底，其特征在于，其在襯底上依次形成有用于反射EUV光的反射層和用于保護該反射層的保護層，所述反射層為Mo/Si多層反射膜，所述保護層為Ru層或Ru化合物層，在所述反射層與所述保護層之間形成有含有0.5~25at%的氮且含有75~99.5at%的Si的中間層。

專利地區(qū)：日本