半導(dǎo)體裝置、半導(dǎo)體裝置的制造方法以及帶有粘接劑層的半導(dǎo)體晶片專利登記公告

專利名稱：半導(dǎo)體裝置、半導(dǎo)體裝置的制造方法以及帶有粘接劑層的半導(dǎo)體晶片

摘要：一種半導(dǎo)體裝置的制造方法，其包括：使粘接劑組合物在半導(dǎo)體晶片的與電路面相反側(cè)的面上成膜而形成粘接劑層的工序；通過光照射對粘接劑層進(jìn)行B階化的工序；將半導(dǎo)體晶片與經(jīng)B階化的所述粘接劑層一起切斷而切成多個半導(dǎo)體芯片的工序；以及對于半導(dǎo)體芯片和支撐構(gòu)件或其它半導(dǎo)體芯片，在它們之間夾著粘接劑層的狀態(tài)下進(jìn)行壓接，從而進(jìn)行粘接的工序。

專利類型：發(fā)明專利

專利號：CN201080050769.4

專利申請（專利權(quán)）人：日立化成工業(yè)株式會社

專利發(fā)明（設(shè)計）人：滿倉一行;川守崇司;增子崇;加藤木茂樹;藤井真二郎

主權(quán)項：一種半導(dǎo)體裝置的制造方法，其特征在于，包括：使粘接劑組合物在半導(dǎo)體晶片的與電路面相反側(cè)的面上成膜而形成粘接劑層的工序；通過光照射對所述粘接劑層進(jìn)行B階化的工序；將所述半導(dǎo)體晶片與經(jīng)B階化的所述粘接劑層一起切斷而切成多個半導(dǎo)體芯片的工序；以及對于所述半導(dǎo)體芯片和支撐構(gòu)件或其它半導(dǎo)體芯片，在它們之間夾著所述粘接劑層的狀態(tài)下進(jìn)行壓接，從而進(jìn)行粘接的工序。

專利地區(qū)：日本