檢驗方法和設備專利登記公告

專利名稱：檢驗方法和設備

摘要：檢驗方法和檢驗設備可用于例如通過光刻技術的器件制造中檢測半導體晶片上的處理缺陷。用移動測量斑沿著掃描路徑照射管芯的條帶。檢測散射輻射以獲得角度分辨光譜，其被在條帶上進行空間積分。將散射數(shù)據(jù)與通過測量或計算獲得的參考光譜庫比較?；诒容^，確定在條帶處管芯的缺陷的存在。測量斑被橫跨晶片沿著掃描路徑軌跡掃描，該軌跡包括大的(恒定的)速度部分，角度分辨光譜的獲取被進行，以全掃描速度完成比較。如果沿著條帶橫跨管芯在Y方向上執(zhí)行長的獲取，那么由位置變化造成的獲取的光譜的變化將主要依賴于斑的X位置。因為未沿著高速掃描路

專利類型：發(fā)明專利

專利號：CN201080046242.4

專利申請（專利權）人：ASML荷蘭有限公司

專利發(fā)明（設計）人：L·費斯塔彭;A·鄧鮑夫

主權項：一種襯底檢驗方法，所述方法包括以下步驟：(a)用輻射束照射所述襯底的區(qū)域和檢測散射的輻射以獲得第一散射數(shù)據(jù)；(b)將所述第一散射數(shù)據(jù)與第二散射數(shù)據(jù)比較；和(c)基于所述比較，確定在所述區(qū)域處所述襯底的缺陷的存在，其中，所述照射和檢測步驟(a)被橫跨所述區(qū)域沿著掃描路徑執(zhí)行，由此獲得在所述區(qū)域上進行空間積分的第一散射數(shù)據(jù)。

專利地區(qū)：荷蘭